2Т306Б (Au) транзистор кремнієві епітаксійних-планарні структури NPN (50мА 15В) (h21е = 40-200) (КТЮ-3-1)

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

2Т306Б
Транзистори 2Т306Б кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n перемикачні та посилені з ненормованим коефіцієнтом шуму.
Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти 2T306В, 2Т306Г і перемикальних пристроях 2T306А, 2Т306Б.
Використовуються для роботи в електронній апаратури спеціального призначення.
Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.
Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзизора не більш ніж 0,65 г.
Тип корпусу:  КТЮ-3-1.
Кліматичне виготовлення: «УХЛ».
Категорія якості: «ВП».
Технічні умови:
  - приймання «5» — СБ0.336.015ТУ.
Гарантійний термін зберігання — не менш ніж 25 років із моменту виготовлення.
Зарубісний аналог: ST6130.

Основні технічні характеристики транзизора 2Т306Б:
• Структура транзизора: n-p-n
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 150 мВт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 500 МГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 15 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 0,5 мкА;
• h21Е — Статичний коефіцієнт передавання струму для схеми із загальним імітером у режимі великого сигналу: 40...120;
• Ск — Місткість колекторного переходу: не більш ніж 5 ПФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 30 Ом

Технічні характеристики транзисторів 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г:

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• h21Э — коефіцієнт передавання струму біполярного транзизора в режимі малого сигналу в схемі із загальним евітером.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.