влевовправо
IRFBG 30 транзистор MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220 125W
- В наявності
- Код: IRFBG30
65,50 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IRFBG 30 транзистор MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220 125WВ наявності
65,50 ₴
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRFBG 30 транзистор MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220 125W
N-CHANNEL 1000V ― 5.0 OHM ― 3.1A ― TO-220 POWERMESH MOSFET
| Виробник: | Vishay | |
| Категорія продукту: | МОП-транзистор | |
| RoHS: | Немає | |
| Торгова марка: | Vishay Semiconductors | |
| Id — безперервний струм витоку: | 3.1 A | |
| Vds — напруга пробою стік-виток: | 1000 V | |
| Rds Вмик — опір стік-виток: | 5.0 Ohms | |
| Полярність транзизора: | N-Channel | |
| Vds — напруга пробою затвор-висток: | 20 V | |
| Максимальна робоча температура: | + 150 C | |
| Pd — розсіювання потужності: | 125 W | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Паковання/блок: | TO-220-3 | |
| Паковання: | Tube | |
| Канальний режим: | Enhancement | |
| Конфігурація: | Single | |
| Час спаду: | 20 ns | |
| Мінімальна робоча температура: | - 55 C | |
| Час наростання: | 25 ns | |
| Розмір фабричного паковання: | 50 | |
| Типовий час затримки вимкнення: | 89 ns |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Країна виробник | Китай |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.1 А |
| Користувацькi характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 1000V 3.1 A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Ціна: 65,50 ₴
- Спосіб упаковки: польоту 50 шт.
