Кошик
5029 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • MBQ60T65PES 650V 60A  MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode  - 425W TO247, фото 2
  • MBQ60T65PES 650V 60A  MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode  - 425W TO247, фото 3
  • MBQ60T65PES 650V 60A  MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode  - 425W TO247, фото 4
вправо
MBQ60T65PES 650V 60A  MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode  - 425W TO247, фото 1

MBQ60T65PES 650V 60A MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode - 425W TO247

  • Готово до відправки
  • Код: MBQ60T65PES

173,20 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
MBQ60T65PES 650V 60A  MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode  - 425W TO247
MBQ60T65PES 650V 60A MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode - 425W TO247Готово до відправки
173,20 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

Найменування: MBQ60T65PES

Маркування: 60T65PES

Тип керуючого каналу: N-Channel

Максимальна потужність, що розсіюється (Pc): 428

Гранично-допустима напруга колектор-емітер (Uce): 650

Напруга насичення колектор-емітер (Ucesat): 1.85

Максимально допустима напруга емітер-затвор (Ueg): 20

Максимальний постійний струм колектора Ic): 100

Максимальна температура переходу (Tj): 175

Час наростання: 54

Ємність колектора (Cc), pf: 270

Корпус: TO247

Технічні характеристики

Виробник MAGNACHIP
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема з'єднання Одиночний
Макс. напруга колектор-емітер 650 V
Напруга затвор - емітер ±20 V
Макс. струм колектора (25 °C) 100 А
Макс. струм колектора (100 °C) 60 А
Макс. постійний струм діода (25 °C) 60 А
Макс. постійний струм діода (100 °C) 30 А
Потужність розсіювання за 25 °C 428 Вт
Робоча температура -40°C ... +175°C
Тип паковання Туба
Стандартне паковання 30 шт.
Основні
Тип транзистораБіполярний
Матеріал корпусуМеталокераміка
Максимально допустима напруга стік-витік650 В
Максимально допустимий струм колектора60 А
Максимально допустимий струм стоку100 А
Максимальна потужність розсіювання425 Вт
Тип монтажуВставний
Користувальницькі характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
  • Ціна: 173,20 ₴