КП307Ж кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу.

Транзистори КП307Ж кремнієві епітаксиально-планарні польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу.

КП307Ж
Транзистори КП307Ж кремнієві епітаксиально-планарні польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу.
Призначені для застосування у вхідних і вихідних каскадах підсилювачів високої та низької частот із високим вхідним опором.
Транзистори КП307Ж загалом призначені для застосування в зарядочутливих підсилювачах та інших пристроях жирової спектрометрії.
Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 0,5 г.
Тип корпусу: КТ-1-12.
Кліматичне виготовлення: «УХЛ», категорія розміщення «2.1».
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
  - приймання «1» — АА0.336.046ТУ.
Гарантійний термін зберігання — не менш ніж 10 років із моменту виготовлення.
Імпортний аналог: MMBF5484, JE10335, SMP5104, TMPF5104, TP5104, MPF256.

Основні технічні характеристики транзизора КП307Ж:
• Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом;
• Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 250 мВт;
• Uзі відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: не більш ніж 7 В;
• Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 25 В;
• Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 27 В;
• Uзі max — Максимальна напруга затвор-висток: 27 В;
• Iс — Строка (постійний): 25 мА
• Iс нач — Початковий струм стоку: не більш ніж 25 мА;
• S — Крутизна характеристики: 4... 14 мА/В (10В);
• С11і — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 5 ПФ;
• С12і - Ємність зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелам у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 1,5 ПФ

Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом n-типу
КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е, КП307Ж:

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.
• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.
• UСІ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.
• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• UЗИ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.
• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистори в схемі із загальним споконвом.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком за короткого замикання за змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.