Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 23.05).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
влево
  • 2Т630Б транзистор NPN (1А 120В) (h21Э 80…240)  Ni (ТО5), фото 2
вправо
2Т630Б транзистор NPN (1А 120В) (h21Э 80…240)  Ni (ТО5), фото 1

2Т630Б транзистор NPN (1А 120В) (h21Э 80…240) Ni (ТО5)

  • Під замовлення
  • Код: 2Т630Б
clockВідправка з 05 червня 2026

105,50 ₴

Компанія тимчасово не приймає замовлення

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
2Т630Б транзистор NPN (1А 120В) (h21Э 80…240)  Ni (ТО5)
2Т630Б транзистор NPN (1А 120В) (h21Э 80…240) Ni (ТО5)Під замовлення
105,50 ₴
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

2Т630Б транзистор NPN (1 А 120 В) Ni (ТО5)

    

 

2Т630Б
Транзистори 2Т630Б кремнієві планові структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах і імпульсних пристроях, у схемах керування газорозрядною панеллю змінного струму, силових каскадах ключових стабілізаторів і перетворювачів.
Транзистори 2Т630А, 2Т630Б випускаються в металосткленому корпусі з гнучкими виведеннями.
Тип корпусу: КТ-2-7 (TO-39).
Маркування нанесене цифро-букваним кодом на корпусі транзизора.
Транзистори 2Т630А-5, 2Т630Б-5 випускається як нерозділені кристали на пластині з контактними майданчиками для гібридних інтегральних мікросхем.
Тип приладу вказується в етикетці.
Маса транзизора в металосткленому корпусі не більш ніж 2,0 г, кристала не більш ніж 0,005 г.
Кліматичне виготовлення: «УХЛ».
Категорія якості: «ВП», «ОС».
Технічні умови:
  - приймання «ВП» ЮФ3.365.043ТУ;
  — приймання «ОС» ЮФ3.365.043ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубісний аналог: 2SC817.

Гарантійний термін зберігання транзисторів — 25 років із дати приймання, а в разі переперевірки виробу — з дати переперевірки.
Гарантійне напрацювання:
  - 15 000 годин — у всіх режимах, що допускаються ТУ;
  - 30000 годин — у полегшеному режимі.
Гарантійне напрацювання обчислюється в межах гарантійного терміну зберігання.

Основні технічні характеристики транзистори 2Т630Б:
• Структура транзизора: n-p-n;
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 0,8 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 50 МГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 120 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 7 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 1000 мА;
• Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 2000 мА;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення еміттера: не більш ніж 1 мкА (90В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: 80... 240;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 15 пФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 2 Ом

Технічні характеристики транзисторів 2Т630А, 2Т630Б, 2Т630А-5, 2Т630Б-5:

Тип
транзизора
Структура Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C Значення параметрів за Тп = 25 °C
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
2Т630А n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 40…120 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60...+125
2Т630Б n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 80…240 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60...+125
2Т630А-5 n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 40…120 <0,3 <100 <100 - >50 <15 <65 150 -60...+125
2Т630Б-5 n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 40…120 <0,3 <100 <100 - >50 <15 <65 150 -60...+125


Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.

Основні
Тип транзистораБіполярний
Тип біполярного транзистораN-P-N
Матеріал корпусуМеталоскло
Максимально допустима напруга колектор-емітер150 В
Максимально допустимий струм колектора1 А
Тип монтажуРучний монтаж
Користувальницькі характеристики
ВиконанняДискретне
  • Ціна: 105,50 ₴