
ГТ403Д транзистор германієвий PNP (1.25А 45В) (h21Э >50-150) 4W
- Під замовлення
- Код: ГТ403Д

32 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
ГТ403Д
Транзистори ГТ403Д германієві сплавні структури p-n-p посилені.
Призначені для застосування в перемикальних пристроях, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму.
Використовуються для роботи в електронній апаратурі загального призначення.
Випускаються у склометаловому корпусі з гнучкими виведеннями.
Маркування нанесене цифро-букваним кодом на корпусі транзизора.
Маса транзизора не більш ніж 4,0 г.
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
— приймання «1» — СІ3.365.036ТУ.
Гарантійний термін зберігання — не менш ніж 10 років із моменту виготовлення.
Імпортний аналог: ASY80.
Основні технічні характеристики транзизора ГТ403Д:
• Структура: p-n-p
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 4 Вт;
• fmax — Максимальна частота генерації: 0,008 МГц;
• Uкбоб — Пробивна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 60 В;
• Uебо проб — Пробивна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 20 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 1250 мА;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 50 мкА за 60 В;
• h21е — Коефіцієнт зворотного зв'язку за напругою транзизора в режимі малого сигналу для схем із загальним евітером і загальною базою відповідно: 50...150 за 5 В, 0,1 А;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 1 Ом;
• Кш — Коефіцієнт шуму транзистори: не нормується
Характеристики транзисторів ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403I:
Тип транзизора |
Структура | Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C | Значення параметрів за Тп = 25 °C | TП max |
Т max |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | кГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
ГТ403А | p-n-p | 1,25 | - | 30 | 45 | 20 | 4 | 20...60 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403Б | p-n-p | 1,25 | - | 30 | 45 | 20 | 4 | 50...150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403В | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 20 | 5 | 20...60 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403Г | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 20 | 4 | 50...150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403Д | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 30 | 4 | 50...150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403Е | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 20 | 5 | >30 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403Ж | p-n-p | 1,25 | - | 60 | 80 | 20 | 4 | 20...60 | 0,5 | 70 | 70 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403І | p-n-p | 1,25 | - | 60 | 80 | 20 | 4 | >30 | 0,5 | 70 | 70 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.
Основні | |
---|---|
Тип транзистора | Біполярний |
Тип біполярного транзистора | P-N-P |
Матеріал корпусу | Металокераміка |
Тип монтажу | Ручний монтаж |
Користувальницькі характеристики | |
Виконання | Дискретне |
Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 32 ₴