КП327А транзистор польовий планарний понад 700 МГц з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, і каналом n-типу

Польовий транзистор КП327А (планарний, двозатворний із захисними діодами, n-канал, корпус КТ-20/TO-50)
Високочастотний малошумний кремнієвий польовий транзистор КП327А, виготовлений за планарно-епітаксіальною технологією. Головною конструктивною особливістю цієї моделі є наявність двох ізольованих затворів та вбудованого каналу n-типу. Крім того, обидва затвори мають інтегрований внутрішній захист у вигляді стабілітронів (діодів), що надійно захищає тонкий оксидний шар від пробою статичною електрикою (ESD).

Транзистор виготовляється в компактному чотирививідному планарному пластиковому корпусі типу КТ-20 (закордонний аналог — TO-50) з гнучкими стрічковими виводами під поверхневий монтаж або формування. Завдяки наявності двох затворів, транзистор має мінімальну прохідну ємність і чудову розв'язку, що дозволяє ефективно використовувати його в режимах автоматичного регулювання підсилення (АРУ) шляхом подачі керуючої напруги на другий затвор.

Сфери застосування:

• Вхідні каскади підсилювачів високої (ВЧ) та надвисокої (СВЧ) частот радіоприймачів.
• Селектори каналів телевизійних приймачів (СК-М, СК-Д) та блоки тюнерів.
• Змішувачі частот, гетеродини та генератори радіоаматорської апаратури зв'язку.
• Малошумні підсилювачі в пристроях дециметрового та метрового діапазонів.

Основні технічні характеристики:

• Маркування: КП327А
• Матеріал напівпровідника: Кремній (Si)
• Структура: З двома ізольованими затворами та n-каналом (Dual-Gate MOSFET)
• Захист затворів: Вбудовані захисні діоди (стабілітрони)
• Максимальна напруга сток-витік (\(U_{СИmax}\)): 20 В
• Максимальний постійний струм стоку (\(I_{Сmax}\)): 45 мА
• Потужність, що розсіюється (\(P_{Сmax}\)): 180 мВт (без тепловідводу)
• Крутизна характеристики (\(S\)): не менше 14 мА/В (при \(I_{С}\) = 10 мА)
• Гранична частота підсилення (\(f_{гр}\)): понад 700 МГц (ефективно працює в діапазоні СВЧ)
• Коефіцієнт шуму (на частоті 200 МГц): не більше 2.5 дБ
• Тип корпусу: КТ-20 / TO-50 (пластиковий планарний, «хрест»)
• Стан товару: Новий, зі зберігання (NOS — New Old Stock)

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

Характеристики польових транзисторів із двома ізольованими затворами та каналом n-типу
КП327А, КП327Б, КП327В, КП327Г:

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.
• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗ1С МАКС - максимально допустима напруга — перший затвор-сток.
• UЗ2С МАКС - максимально допустима напруга другий затвор-сток.
• UЗ1І МАКС — максимально допустима напруга — перший затвор-висток.
• UЗ2И МАКС - максимально допустима напруга другий затвор-висток.
• UЗ1 З2 МАКС - максимально допустима напруга між затворами.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• UЗ1И ОТС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.
• IЗ1 УТ - струм витоку першого затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S1 - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінного струму на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• C11И1 - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C12И2 — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• КШ - коефіцієнт шуму польового транзизора.
• КУР - коефіцієнт посилення за потужністю польового транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.