Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 13 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
4290 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 15.02).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • МП11 германієві сплавні структури n-p-n підсилювальні (150 мА 15В) (h21Э  (h21э 22...55)150мВт, фото 3
  • МП11 германієві сплавні структури n-p-n підсилювальні (150 мА 15В) (h21Э  (h21э 22...55)150мВт, фото 4
вправо
МП11 германієві сплавні структури n-p-n підсилювальні (150 мА 15В) (h21Э  (h21э 22...55)150мВт

МП11 германієві сплавні структури n-p-n підсилювальні (150 мА 15В) (h21Э (h21э 22...55)150мВт

  • Немає в наявності
  • Код: МП11

14,90 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
МП11 германієві сплавні структури n-p-n підсилювальні (150 мА 15В) (h21Э  (h21э 22...55)150мВт
МП11 германієві сплавні структури n-p-n підсилювальні (150 мА 15В) (h21Э (h21э 22...55)150мВтНемає в наявності
14,90 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

МП11 германиевые сплавные структуры n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума. (150 мА 15В) 150мВт

П11А
Транзисторы МП11А германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: ПЖ0.336.002ТУ1.

Основные технические характеристики транзистора МП11А:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 45...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ

Технические характеристики транзисторов МП10, МП10А, МП10Б, МП11, МП11А:

Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
IК. макс. IК. и. макс. UКБО макс. UКЭR макс.
(UКЭО макс.)
UЭБО макс. РК. макс.
(РК. и. макс.)
h21Э
 (h21э)
UКБ
 (UКЭ)

(IК)
UКЭ нас. IКБО
(IКЭR)
fгp.
(fh21)
мА мА В В В мВт   В мА В мкА МГц
МП10 n-p-n 20 150 15 (15) 15 (150) 10...30 5 1 - 30 (1)
МП10А n-p-n 20 150 30 (30) 15 (150) 15...30 5 1 - (30) (1)
МП10Б n-p-n 20 150 30 (30) 15 (150) 25...50 5 1 - (50) (1)
МП11 n-p-n 20 150 15 (15) 15 (150) 22...55 5 1 - 30 (2)
МП11А n-p-n 20 150 15 (15) 15 (150) 45...100 5 1 - 30 (2)


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uкэомакс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
• Uэбомакс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
• Uкэ - напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
•  - ток эмиттера транзистора.
•  - постоянный ток коллектора транзистора.
• Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IкэR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер. Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
 

Основні
Тип транзистораБіполярний
Тип біполярного транзистораP-N-P
Матеріал корпусуМеталокераміка
Максимально допустима напруга колектор-емітер55 В
Максимально допустимий струм колектора12 А
Користувальницькі характеристики
ВиконанняДискретне
Країна походженняСРСР
  • Ціна: 14,90 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner