
МП11 германієві сплавні структури n-p-n підсилювальні (150 мА 15В) (h21Э (h21э 22...55)150мВт
- Немає в наявності
- Код: МП11
14,90 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
МП11 германиевые сплавные структуры n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума. (150 мА 15В) 150мВт
П11А
Транзисторы МП11А германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: ПЖ0.336.002ТУ1.
Основные технические характеристики транзистора МП11А:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 45...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
Технические характеристики транзисторов МП10, МП10А, МП10Б, МП11, МП11А:
Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК. макс. | IК. и. макс. | UКБО макс. | UКЭR макс. (UКЭО макс.) |
UЭБО макс. | РК. макс. (РК. и. макс.) |
h21Э (h21э) |
UКБ (UКЭ) |
IЭ (IК) |
UКЭ нас. | IКБО (IКЭR) |
fгp. (fh21) |
||
мА | мА | В | В | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | |||
МП10 | n-p-n | 20 | 150 | 15 | (15) | 15 | (150) | 10...30 | 5 | 1 | - | 30 | (1) |
МП10А | n-p-n | 20 | 150 | 30 | (30) | 15 | (150) | 15...30 | 5 | 1 | - | (30) | (1) |
МП10Б | n-p-n | 20 | 150 | 30 | (30) | 15 | (150) | 25...50 | 5 | 1 | - | (50) | (1) |
МП11 | n-p-n | 20 | 150 | 15 | (15) | 15 | (150) | 22...55 | 5 | 1 | - | 30 | (2) |
МП11А | n-p-n | 20 | 150 | 15 | (15) | 15 | (150) | 45...100 | 5 | 1 | - | 30 | (2) |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uкэомакс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
• Uэбомакс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
• Uкэ - напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
• Iэ - ток эмиттера транзистора.
• Iк - постоянный ток коллектора транзистора.
• Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IкэR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер. Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
Основні | |
---|---|
Тип транзистора | Біполярний |
Тип біполярного транзистора | P-N-P |
Матеріал корпусу | Металокераміка |
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 55 В |
Максимально допустимий струм колектора | 12 А |
Користувальницькі характеристики | |
Виконання | Дискретне |
Країна походження | СРСР |
- Ціна: 14,90 ₴