влевовправо
IPD70R600P PowerTransistor 8,5 A - 700 V IMOSFET (TO-252-3)
- В наявності
- Код: IPD70R600P
31 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IPD70R600P PowerTransistor 8,5 A - 700 V IMOSFET (TO-252-3)В наявності
31 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
IPD70R600P PowerTransistor 8,5 A - 700 V IMOSFET (TO-252-3)
| Корпус: | DPAK |
| Manufacturer: | Infineon | |
| Product Category: | MOSFET | |
| RoHS: | Details | |
| Technology: | Si | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Package/Case: | TO-252-3 | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 700 V | |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.5 A | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 490 mOhms | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 16 V, + 16 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V | |
| Qg - Gate Charge: | 10.5 nC | |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | |
| Pd - Power Dissipation: | 43.1 W | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Tradename: | CoolMOS | |
| Packaging: | Cut Tape | |
| Packaging: | MouseReel | |
| Packaging: | Reel | |
| Configuration: | Single | |
| Height: | 2.3 mm | |
| Length: | 6.5 mm | |
| Series: | CoolMOS P7 | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Width: | 6.22 mm | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Fall Time: | 23 ns | |
| Moisture Sensitive: | Yes | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Rise Time: | 5.5 ns | |
| Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 63 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns | |
| Part # Aliases: | IPD70R600P7S SP001491636 | |
| Unit Weight: | 340 mg |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимальна потужність розсіювання | 43 Вт |
| Тип монтажу | Пайка хвилею |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 600V 10A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Ціна: 31 ₴
