2Т812А транзистор NPN (10 А 400 В) 50W
2Т812А
Транзистори 2Т812А кремнієві мезапланарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних і перемикачних пристроях.
Корпус металевий зі скляними ізоляторами та жорсткими виведеннями.
Маса транзизора не більш ніж 20 г.
Тип корпусу: КТ-9.
Технічні умови: АА0.339.193 ТУ.
Основні технічні характеристики транзизора 2Т812А:
• Структура транзизора: n-p-n;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 50 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 3 МГц;
• UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого опору в ланцюзі база-емітер: 400 В (0,1 кОм);
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 7 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А;
• Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А;
• Iкер — зворотний струм колектор-емітер за заданих зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер: 5 мА (700 В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 4;
• Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більш ніж 0,3 Ом

Технічні характеристики транзисторів 2Т812А, 2Т812Б:
| Тип транзизора |
Структура | Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C | Значення параметрів під час Тп = 25 °C | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 2Т812А | n-p-n | 10 | 17 | 400 | - | 6 | 50 | >5 | <2,5 | 5 | 50 | >3 | - | <100 | - | 150 | -60...+125 |
| 2Т812Б | n-p-n | 10 | 17 | 300 | - | 6 | 50 | >5 | <2,5 | 5 | 50 | >3 | - | <100 | - | 150 | -60...+125 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Біполярний |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Максимально допустима напруга колектор-база | 400 В |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 200 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 12 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 50 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Користувальницькі характеристики | |
| Виробник | ЗАТ Кремній Маркетинг р. Брянськ |
| Виконання | Дискретне |
| NPN | POWER TRANSISTOR |
| Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 114,80 ₴



