
МП42Б (200 мА 15В) 200мВт) германієві сплавні p-n-p перемикаючі низькочастотні малопотужні
- В наявності
- Код: МП42Б sokh
12,70 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
МП42Б
Транзисторы МП42Б германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.634 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора МП42Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 45...100;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом
Технические характеристики транзисторов МП42, МП42А, МП42Б:
Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК. макс. | IК. и. макс. | UКЭR макс. | UЭБО макс. | РК. макс. | h21э | UКЭ | IК | UКЭ нас. | IКБО | fгp. | ||
мА | мА | В | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | |||
МП42 | p-n-p | 100 | 200 | 15 | - | 200 | 20...35 | 1 | 10 | 0,2 | 25 | 1 |
МП42А | p-n-p | 100 | 200 | 15 | - | 200 | 30...50 | 1 | 10 | 0,2 | 25 | 1 |
МП42Б | p-n-p | 100 | 200 | 15 | - | 200 | 45...100 | 1 | 10 | 0,2 | 25 | 1 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uкэо. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
• Uэбо. макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Iэ - ток эмиттера транзистора.
• Iк - постоянный ток коллектора транзистора.
• Uкэ. нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
Основні | |
---|---|
Тип транзистора | Біполярний |
Тип біполярного транзистора | P-N-P |
Матеріал корпусу | Металокераміка |
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 55 В |
Максимально допустимий струм колектора | 12 А |
Користувальницькі характеристики | |
Виконання | Дискретне |
Країна походження | СРСР |
- Ціна: 12,70 ₴