КП903Б кремнієві епітаксіально-планарні польові з каналом n-типу і затвором у вигляді зворотньо зміщеного p-n

КП903Б
Транзистори КП903Б кремнієві епітаксиально-планарні польові з каналом n-типу та затвором у формі зворотно зміщеного p-n переходу високочастотні універсальні.
Призначені для застосування в приймальні та перемикальних пристроях загального призначення.
Випускаються в металокерамічному корпусі з жорсткими виведеннями та монтажним гвинтом.
Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзизора не більш ніж 6,0 г.
Тип корпусу: КТ-4-2 (TO-60).
Кліматичне виготовлення: «УХЛ».
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
  — приймання «1» — АА0.336.158ТУ.
Імпортний аналог: CP664, CP665, CP666.

Основні технічні характеристики транзизора КП903Б:
• Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом;
• Рсі т max — Максимальна розсіювана потужність стик-виток із тепловідведенням: 6 Вт;
• Uзі відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: 1... 6,5 В;
• Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 20 В;
• Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 20 В;
• Uзі max — Максимальна напруга затвор-висток: 15 В;
• Iс — Строка (постійний): 700 мА;
• Iс нач — Початковий струм стоку: не більш ніж 480 мА;
• Iс ост — залишковий струм стоку: не більш ніж 0,05 мА;
• S - Крутизна характеристики: 50... 130 мА/В (8В);
• С11и — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 18 ПФ;
• Ку.р - Коефіцієнт посилення за потужністю: не менш ніж 7,6 дБ.

Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом n-типу
КП903А, КП903Б, КП903В:

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.
• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.
• UСІ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.
• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистори в схемі із загальним споконвом.
• RСИ від — опір стік-виток у відкритому стані польового транзистори. Опір між стоком і джерелам у відкритому стані транзистора за заданої напруги стік-висток, меншої напруги насичення.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• CЗИ - ємність затвор-висток. Ємність між затвором і джерелам у разі розімкнених за змінним струмом інших виводів.
• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C22И — вихідна ємність польового транзизора. Ємність між стоком і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком за короткого замикання за змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• PВЫХ — вихідна потужність польового транзизора.
• КШ - коефіцієнт шуму польового транзизора.
• КУР - коефіцієнт посилення за потужністю польового транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.