КТ503А
Транзистори КТ503А кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних і диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях.
Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими виведеннями.
Тип приладу вказується в етикетці.
Маса транзизора не більш ніж 0,3 г.
Тип корпусу: КТ-26.
Технічні умови: АА0.336.183 ТУ/02.

Технічні характеристики транзисторів КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е:
Тип
транзизора |
Структура |
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C |
Значення параметрів за Тп = 25 °C |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭ0 max |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max
(РК. Т. max) |
h21Э |
UКЭ
нас. |
IКБО |
IЭБО |
f гp. |
КШ |
СК |
СЭ |
А |
А |
В |
В |
В |
Вт |
|
В |
мкА |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
КТ503А |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
25 |
40 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ503Б |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
25 |
40 |
5 |
0,35 |
80...240 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ503В |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
40 |
60 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ503Г |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
40 |
60 |
5 |
0,35 |
80...240 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ503Д |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
60 |
80 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ503Е |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
80 |
100 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.
|