Кошик
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати
CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • IRF 9630  транзистор  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W, фото 2
  • IRF 9630  транзистор  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W, фото 3
  • IRF 9630  транзистор  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W, фото 4
  • IRF 9630  транзистор  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W, фото 5
вправо
IRF 9630  транзистор  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W, фото 1

IRF 9630 транзистор MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W

  • В наявності
  • Код: IRF 9630

58,60 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IRF 9630  транзистор  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W
IRF 9630 транзистор MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75WВ наявності
58,60 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

IRF 9630  транзистор  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W

Транзистор IRF9630 (MOSFET P-Channel 200V 6.5A 75W TO-220)
Високовольтний польовий P-канальний транзистор, виготовлений за передовою технологією HEXFET® Power MOSFET. Призначений для використання в схемах комутації навантаження, де потрібне керування по позитивній шині живлення («плюсу»), а також у різноманітній силовій електроніці.

Завдяки високій швидкості перемикання та низькому опору у відкритому стані, цей транзистор забезпечує високу ефективність і надійність роботи електронних вузлів. Часто використовується у парі зі своїм комплементарним N-канальним аналогом (IRF630) у вихідних каскадах звукових підсилювачів. Випускається в класичному трививідному пластиковому корпусі TO-220 з металевою підкладкою для зручного монтажу на радіатор.

Сфери застосування:

  • Високоякісні аудіопідсилювачі потужності (УНЧ).
  • Драйвери керування електродвигунами та реле.
  • Імпульсні блоки живлення та DC-DC перетворювачі.
  • Схеми захисту від переполюсовки живлення та електронні ключі.

Основні технічні характеристики:

  • Тип транзистора: MOSFET (польовий)
  • Тип каналу: P-Channel (P-канальний)
  • Максимальна напруга стік-витік (\(V_{DSS}\)): -200 В
  • Максимальний струм стоку (\(I_{D}\)): -6.5 А (при температурі корпусу 25°C)
  • Імпульсний струм стоку (\(I_{DM}\)): -26 А
  • Максимальна потужність розсіювання (\(P_{D}\)): 75 Вт
  • Опір відкритого каналу (\(R_{DS(on)}\)): 0.80 Ом (при \(V_{GS}\) = -10В)
  • Діапазон напруги затвор-витік (\(V_{GS}\)): ±20 В
  • Тип корпусу: TO-220 (TO-220AB)
  • Тип монтажу: THT (в отвори на платі)


 

Основні
ВиробникVishay Intertechnology
Країна виробникКитай
Тип транзистораПольовий
Тип польового транзистораЗ керуючим p-n переходом
Матеріал корпусуПластик
Максимально допустима напруга стік-витік200 В
Максимально допустимий струм стоку11 А
Максимальна потужність розсіювання200 Вт
Тип монтажуРучний монтаж
Канал транзистораN-канал
Користувальницькі характеристики
ВиконанняДискретне
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH200V 11A
Корпус транзистора:ТО220
  • Ціна: 58,60 ₴