Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
2N3055 NPN транзистор 100V 15A TO-3 115W (Bulgary)
| Manufacturer: |
БолгаріяПловдив |
|
|
| Product Category: |
Bipolar Transistors ― BJT |
|
|
| RoHS: |
 Details |
|
|
| Brand: |
Плодівський завод напівпровідників |
|
|
|
|
|
|
| Collector- Base Voltage VCBO: |
100 V |
|
|
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
60 V |
|
|
| Emitter- Base Voltage VEBO: |
7 V |
|
|
| Collector-Emitter Saturation Voltage: |
1 V |
|
|
| Maximum DC Collector Current: |
15 A |
|
|
| Gain Bandwidth Product fT: |
3 MHz |
|
|
| Maximum Operating Temperature: |
+ 200 C |
|
|
| Mounting Style: |
Through Hole |
|
|
|
|
| DC Collector/Base Gain hfe Min: |
20 |
|
|
| DC Current Gain hFE Max: |
70 |
|
|
| Maximum Power Dissipation: |
115 W |
|
|
| Minimum Operating Temperature: |
- 65 C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Країна виробник | Болгарія |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Максимально допустима напруга колектор-база | 100 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 15 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
|
| Виробник | пловдів |
| Виконання | Дискретне |
| Корпус транзистора: | ТО3 |
