Ультрашвидкі діоди (Ultrafast diodes)

Характеристики діодів[ред. | ред. код]

I_s — струм насичення (тепловий струм)
R_б — опір бази діода
R_а — активний опір
R_Д — диференційний опір
C_б — бар'єрна ємність
С_Д — дифузійна ємність
R_{тп к} — тепловий опір перехід-корпус
К_В — коефіцієнт випростування
φ_к — контактна різниця потенціалів

Допустимі зворотні напруги кремнієвих діодів — 1000-1500 В, а германієвих 100-400 Ст. Інтервал робочих температур кремнієвого діода — від -60 °C до +150 °C; а для германієвого — від -60 °C до +85 °C. Тому зараз в основному використовують кремнієві діоди.