влевовправо
STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
- Немає в наявності
- Код: STGB10NB37LZT4 / IT
108 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBTНемає в наявності
108 ₴
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
Виробник: STMicroelectronics
Категорія продукту: Біполярні транзистори з ізольованим закривом (IGBT)
RoHS: Технологія: Si
Паковання/блок:D2PAK-3
Вид монтажа:SMD/SMT
КонфігураціяSingle
Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.:440 V
Максимальна напруга затвор-емітер:16 V
Мінімальна робоча температура:- 65 C
Максимальна робоча температура:+ 150 C
Серия:STGB10NB37LZ
Паковання:Cut Tape
Паковання:Reel
Безперервний струм колектора Ic, макс.:20 A
Висота:4.6 mm
Довжина:10.4 mm
Ширина:9.35 mm
Торгова марка:STMicroelectronics
Каліфікація:AEC-Q100
Вага виробу: 2,240 g
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Країна виробник | Китай |
| Користувацькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 600V 10A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Ціна: 108 ₴
