Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 12 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
3664 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати
CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • 40N120 FL3 (onsemi)  потужний IGBT транзистор   з n-канальною провідністю 1200V, 40A 348W TO247, фото 2
  • 40N120 FL3 (onsemi)  потужний IGBT транзистор   з n-канальною провідністю 1200V, 40A 348W TO247, фото 3
вправо
40N120 FL3 (onsemi)  потужний IGBT транзистор   з n-канальною провідністю 1200V, 40A 348W TO247

40N120 FL3 (onsemi) потужний IGBT транзистор з n-канальною провідністю 1200V, 40A 348W TO247

  • Готово до відправки
  • Код: 40N120FL3 kh rep

200,10 

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
40N120 FL3 (onsemi)  потужний IGBT транзистор   з n-канальною провідністю 1200V, 40A 348W TO247
40N120 FL3 (onsemi) потужний IGBT транзистор з n-канальною провідністю 1200V, 40A 348W TO247Готово до відправки
200,10 
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

40N120 FL3 (onsemi) Transistors

IGBT (інтегральний біполярний транзистор з ізольованим затвором) з n-канальною провідністю

1200V, 40A 348W TO247

 

  

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

 

Manufacturer: onsemi
Product Category: MOSFET  
RoHS:  Details  
Technology: SiC
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Id - Continuous Drain Current: 60 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 56 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.3 V
Qg - Gate Charge: 106 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 348 W
Channel Mode: Enhancement
Brand: onsemi  
Product Type: MOSFET  
30  
Subcategory: MOSFETs  
Unit Weight: 12,117 g
Основні
Тип монтажуВставний
ВиробникON Semiconductor
Максимально допустимий струм стоку80 А
Максимальна потужність розсіювання348 Вт
Матеріал корпусуМеталокераміка
Тип транзистораБіполярний
Користувацькi характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
  • Ціна: 200,10 

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner