Кошик
1447 відгуків
Надійний продавець Prom.ua
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати
Електронні радіокомпоненти. LED освітлення для оселі, офісу та автомобіля
+380679794103
+380679794103
+380996484568
Кошик
ГТ313Б германієвий транзистор PNPструктури диффузійно-сплавні  універсальний

ГТ313Б германієвий транзистор PNPструктури диффузійно-сплавні універсальний

  • В наявності
  • Код: ГТ313Б NVI

12,77 грн.

Мінімальна сума замовлення — 30 грн.

Купити
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
  • +380996484568
    Vodafone (Viber)
  • +380443606707
    Intertelecom (CDMA)
  • +380937037979
    Life:) (Viber)
  • Графік роботи
  • Контакти
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
ГТ313Б германієвий транзистор PNPструктури диффузійно-сплавні  універсальний
ГТ313Б германієвий транзистор PNPструктури диффузійно-сплавні універсальнийВ наявності
12,77 грн.
Купити
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
  • +380996484568
    Vodafone (Viber)
  • +380443606707
    Intertelecom (CDMA)
  • +380937037979
    Life:) (Viber)
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

 

  

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

ГТ313Б
Транзисторы ГТ313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. 
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ЖК3.365.162 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора ГТ313Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 450 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...75 при 5В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс

Технические характеристики транзисторов ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО f гp. КШ СК СЭ
мА мА В В В мВт   В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
ГТ313А p-n-p 30 - 15 15 0,7 100 10...230 0,7 5 300...1000 8 2,5 18 70 -40…+55
ГТ313Б p-n-p 30 - 15 15 0,7 100 10...75 0,7 5 450...1000 8 2,5 14 70 -40…+55
ГТ313В p-n-p 30 - 15 15 0,7 100 30...230 0,7 5 350...1000 8 2,5 14 70 -40…+55


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Основні
Тип транзистораБиполярный
Тип біполярного транзистора  P-N-P
ВиконанняДискретное
Матеріал корпусуМеталлостекло
Максимально допустима напруга колектор-емітер15.0 (В)
Максимально допустимий струм колектора0.5 (А)
Тип монтажуРучной монтаж
Дополнительные характеристики
Страна происхожденияСССР
  • Ціна: 12,77 грн.