Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 16.04)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
КТ823В1 транзистор кремнієвий безкорпусний NPN, фото 1

КТ823В1 транзистор кремнієвий безкорпусний NPN

  • В наличии
  • Код: КТ823В1

68,80 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней по договоренности
КТ823В1 транзистор кремнієвий безкорпусний NPN
КТ823В1 транзистор кремнієвий безкорпусний NPNВ наличии
68,80 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

  • Рисунок 1 - Схема биполярного транзистора КТ823В1

    Транзистор B1-B2/Iк

    МГц
    Cк/Uк
    пф/В
    Cэ/Uэ
    пф/В
    Rб*Cк
    псек

    нс
    Uкэ/(Iк/Iб)
    В/(А/А)
    Uкб
    В
    Uкэ/R
    В/Ом
    Uэб
    В
    Iкм/Iкн
    А/А
    Iбм
    А
    Pк/Pт
    Вт/Вт
    Rпк
    C/Вт
    Пер
    КТ823В1 25- /1 3 75/5     0.6(1/0.1)   100/1000 5 2/4 0.5 /20 5 NPN  
  • Область применения: для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах

  • Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ823В1

    Обозначение: Параметр
    B1-B2/Iк /А статический коэффициент передачи тока
    Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
    Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
    Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
    Rб*Cк псек постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
    tр нс  
    Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
    Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
    Uкэ/R В/Ом максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
    Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
    Iкм/Iкн А/А предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
    Iбм А предельно допустимый постоянный ток базы
    Pк/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
    Rпк C/Вт тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора
    Пер  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение. 
 
Основные
Тип монтажаРучной монтаж
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистораN-P-N
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер15 В
Максимально допустимый ток коллектора0.5 А
Материал корпусаМеталлостекло
Пользовательские характеристики
Страна происхожденияСССР
ИсполнениеДискретное
  • Цена: 68,80 ₴