влевовправо
ГТ806Д транзистор NPN (15А 140В) 30W
- Под заказ
- Код: ГТ806Д
Отправка с 17 апреля 202680,30 ₴
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
ГТ806Д транзистор NPN (15А 140В) 30WПод заказ
80,30 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
ГТ806Д транзистор NPN (15А 140В) 30W
| Наименование | ГТ806Д Транзистор |
| Функциональный тип | биполярный |
| Структура | n-p-n |
| Дата выпуска | 01.01.1988 |
| Торговая марка | ЗАО Группа-Кремний, Брянск |
| Страна происхождения | СССР |
| ТУ | 3.365.021 ТУ |
| Вид приемки | "1" |
| Материал корпуса | металл со стеклянными изоляторами |
| Тип вывода | жесткий |
| Климатическое исполнение | УХЛ2 |
| Фактическая маркировка | ГТ806Д |
| Вид упаковки | картонная коробка |
| Состояние упаковки | заводская |
| Кратность отгрузки | 1 |
| Габаритные размеры L*W*H | 29х29х25,6 |
| Высота корпуса | 12,2 mm |
| Длина выводов | 13,4 mm |
| Масса изделия, гр. | 22 |
| Содержание золота в 1шт, gr | 0,0001168 |
| Содержание серебра в 1шт, gr | 0,090055 |
| Английская транскрипция | GT806A |
| Макс. допустимое напряжение коллектор-база | 140 V |
| Макс. допустимый постоянный ток коллектора | 15 A |
| Максимальная мощность рассеивания | 30 W |
| Максимальный обратный ток, Iобр | 8 µA |
| Статический коэффициент передачи тока | 10-100 |
Технические характеристики транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭ max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭ | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| ГТ806А | p-n-p | 15 | - | 75 | - | 1,5 | 2 (30) | 10..100 | <0,6 | - | <8 | <15 | >10 | - | - | 85 | -55…+55 |
| ГТ806Б | p-n-p | 15 | - | 100 | - | 1,5 | 2 (30) | 10..100 | <0,6 | - | <8 | <15 | >10 | - | - | 85 | -55…+55 |
| ГТ806В | p-n-p | 15 | - | 120 | - | 1,5 | 2 (30) | 10..100 | <0,6 | - | <8 | <15 | >10 | - | - | 85 | -55…+55 |
| ГТ806Г | p-n-p | 15 | - | 50 | - | 1,5 | 2 (30) | 10..100 | <0,6 | - | <8 | <15 | >10 | - | - | 85 | -55…+55 |
| ГТ806Д | p-n-p | 15 | - | 140 | - | 1,5 | 2 (30) | 10..100 | <0,6 | - | <8 | <15 | >10 | - | - | 85 | -55…+55 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Транзистор ГТ806Д биполярный, германиевый диффузионно-сплавной структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 140 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 15 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| NPN | POWER TRANSISTOR |
| Страна происхождения | СССР |
- Цена: 80,30 ₴
