КП501А, (ZVN2120) транзистор N-канальний з ізольованим затвором (TO-92)
- Немає в наявності
- Код: КП501А
13,90 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
КП501А, (ZVN2120) транзистор N-канальний з ізольованим затвором (TO-92)Немає в наявності
13,90 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
КП501А, Транзистор N-канальний з ізольованим закривом (TO-92)
КП501А
Кремнієві польові n-канальні транзистори середньої потужності з ізольованим закривом і збагаченням каналу.
Виготовлені за епітаксиально-планарною технологією. Прилади обладнані вбудованим зворотним захисним діодом.
Транзистори КП501А призначені для роботи як елемент комутації в телефонних апаратах, апаратурі засобів зв'язку та іншої електронної апаратури.
Корпус: TO-92 (КТ-26).
КП501А
Транзистори КП501А, КП501Б, КП501В кремнієві епітаксиально-планарні польові з ізольованим закривом, збагаченням n-канала.
Призначені для використання як елемент комутації електричних ланцюгів в апаратурі засобів зв'язку, телефонних апаратах та іншої радіоелектрононої апаратури, що виготовляється для народного господарства.
Тип корпусу:TO-92 (КТ-26).
Технічні умови: АДБК.432140.485 ТУ.
Прототип: ZVN2120.
Транзистори КП501А, КП501Б, КП501В кремнієві епітаксиально-планарні польові з ізольованим закривом, збагаченням n-канала.
Призначені для використання як елемент комутації електричних ланцюгів в апаратурі засобів зв'язку, телефонних апаратах та іншої радіоелектрононої апаратури, що виготовляється для народного господарства.
Тип корпусу:TO-92 (КТ-26).
Технічні умови: АДБК.432140.485 ТУ.
Прототип: ZVN2120.
Характеристики польових МОП транзисторів із каналом n-типу
КП501А, КП501Б, КП501В:
| Тип польового транзизора |
Р МАКС | f МАКС | Граничні значення параметрів за Т = 25 °C | Значення параметрів за Т = 25 °C | Т ОКР | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UСИ МАКС | UЗС МАКС | UЗІ МАКС | IС МАКС | UЗІ ПОР | RCИ від | IЗ УТ | S | IЗ ОСТ | C11И | C12И | C22И | КШ | КУР | ||||
| мВт | МГц | В | В | В | мА | В | Ом | нА | мА/В | мкА | пФ | пФ | пФ | дБ | дБ | °С | |
| КП501А | 500 | - | 240 | - | ±20 | 180 | 1…3 | <10 | <20 | - | <10 | - | - | - | - | - | -40…+85 |
| КП501Б | 500 | - | 200 | - | ±20 | 180 | 1…3 | <10 | <20 | - | <10 | - | - | - | - | - | -40…+85 |
| КП501В | 500 | - | 200 | - | ±20 | 180 | 1…3 | <20 | <20 | - | <10 | - | - | - | - | - | -40…+85 |
Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.
• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.
• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.
• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.
• RСИ від — опір стік-виток у відкритому стані польового транзистори. • g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистори в схемі із загальним споконвом.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком за короткого замикання за змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• C22И — вихідна ємність польового транзизора. Ємність між стоком і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• КУР - коефіцієнт посилення за потужністю транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Інтеграл |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Країна виробник | Білорусь |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 240 В |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Користувальницькі характеристики | |
| Виконання | Дискретне |
| Країна походження | Білорусь |
- Ціна: 13,90 ₴
