КП501А, (ZVN2120) транзистор N-канальний з ізольованим затвором (TO-92)
- Нет в наличии
- Код: КП501А
14,10 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 50 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
КП501А, (ZVN2120) транзистор N-канальний з ізольованим затвором (TO-92)Нет в наличии
14,10 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
КП501А, Транзистор N-канальный с изолированным затвором (TO-92)
КП501А
Кремниевые полевые n-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала.
Изготавлены по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом.
Транзисторы КП501А предназначены для работы в качестве элемента коммутации в телефонных аппаратах, аппаратуре средств связи и иной электроннной аппаратуре.
Корпус: TO-92 (КТ-26).
КП501А
Транзисторы КП501А, КП501Б, КП501В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала.
Предназначены для использования в качестве элемента коммутации электрических цепей в аппаратуре средств связи, телефонных аппаратах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Тип корпуса:TO-92 (КТ-26).
Технические условия: АДБК.432140.485 ТУ.
Прототип: ZVN2120.
Транзисторы КП501А, КП501Б, КП501В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала.
Предназначены для использования в качестве элемента коммутации электрических цепей в аппаратуре средств связи, телефонных аппаратах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Тип корпуса:TO-92 (КТ-26).
Технические условия: АДБК.432140.485 ТУ.
Прототип: ZVN2120.
Характеристики полевых МОП транзисторовов с каналом n-типа
КП501А, КП501Б, КП501В:
| Тип полевого транзистора |
Р МАКС | f МАКС | Предельные значения параметров при Т=25°С | Значения параметров при Т=25°С | Т ОКР | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UСИ МАКС | UЗС МАКС | UЗИ МАКС | IС МАКС | UЗИ ПОР | RCИ отк | IЗ УТ | S | IС ОСТ | C11И | C12И | C22И | КШ | КУР | ||||
| мВт | МГц | В | В | В | мА | В | Ом | нА | мА/В | мкА | пФ | пФ | пФ | дБ | дБ | °С | |
| КП501А | 500 | - | 240 | - | ±20 | 180 | 1…3 | <10 | <20 | - | <10 | - | - | - | - | - | -40…+85 |
| КП501Б | 500 | - | 200 | - | ±20 | 180 | 1…3 | <10 | <20 | - | <10 | - | - | - | - | - | -40…+85 |
| КП501В | 500 | - | 200 | - | ±20 | 180 | 1…3 | <20 | <20 | - | <10 | - | - | - | - | - | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора. • g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Интеграл |
| Материал корпуса | Пластик |
| Страна производитель | Беларусь |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 240 В |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Страна происхождения | Беларусь |
- Цена: 14,10 ₴
