2Т653А
Транзисторы 2Т653А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. 
Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях. 
Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы 2Т653А-5, 2Т653Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,005 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.307 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т653А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 130 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т653А, 2Т653Б, 2Т653А-5, 2Т653Б-5:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.