Корзина
1506 отзывов
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати
Електронні радіокомпоненти. LED освітлення для оселі, офісу та автомобіля
+380679794103
+380679794103
+380996484568
Корзина
влево
  • 2Т653А (Au) транзистор NPN переключательный (h21э=40...150) (UКБ0 max.=130в) (ТО5) 5-я приемка, фото 2
  • 2Т653А (Au) транзистор NPN переключательный (h21э=40...150) (UКБ0 max.=130в) (ТО5) 5-я приемка, фото 3
  • 2Т653А (Au) транзистор NPN переключательный (h21э=40...150) (UКБ0 max.=130в) (ТО5) 5-я приемка, фото 4
  • 2Т653А (Au) транзистор NPN переключательный (h21э=40...150) (UКБ0 max.=130в) (ТО5) 5-я приемка, фото 5
вправо
2Т653А (Au) транзистор NPN переключательный (h21э=40...150) (UКБ0 max.=130в) (ТО5) 5-я приемка

2Т653А (Au) транзистор NPN переключательный (h21э=40...150) (UКБ0 max.=130в) (ТО5) 5-я приемка

  • В наличии
  • Код: 2Т653А au NVI

56,51 грн.

Купить
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
  • +380996484568
    Vodafone (Viber)
  • +380443606707
    Intertelecom (CDMA)
  • +380937037979
    Life:) (Viber)
  • График работы
  • Контакти
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
2Т653А (Au) транзистор NPN переключательный (h21э=40...150) (UКБ0 max.=130в) (ТО5) 5-я приемка
2Т653А (Au) транзистор NPN переключательный (h21э=40...150) (UКБ0 max.=130в) (ТО5) 5-я приемкаВ наличии
56,51 грн.
Купить
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
  • +380996484568
    Vodafone (Viber)
  • +380443606707
    Intertelecom (CDMA)
  • +380937037979
    Life:) (Viber)
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

  

 

2Т653А
Транзисторы 2Т653А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. 
Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях. 
Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы 2Т653А-5, 2Т653Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,005 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.307 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т653А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 130 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т653А, 2Т653Б, 2Т653А-5, 2Т653Б-5:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
2Т653А n-p-n 1 2 130 130 7 0,8 (5) 40…150 <0,5 - - <10 >50 <20 <40 150 -60…+125
2Т653Б n-p-n 1 2 130 130 7 0,8 (5) 80…250 <0,5 - - <10 >50 <20 <40 150 -60…+125
2Т653А-5 n-p-n 1 2 130 130 7 0,8 40…150 <0,5 - - <10! >50 <20 <40 150 -60…+125
2Т653Б-5 n-p-n 1 2 130 130 7 0,8 80…250 <0,5 - - <10 >50 <20 <40 150 -60…+125


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

 
 

no image

 

 

Основные
Страна производительЧехия
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистора  P-N-P
ИсполнениеДискретное
Материал корпусаМеталлостекло
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер75.0 (В)
Максимально допустимый ток коллектора0.6 (А)
Тип монтажаРучной монтаж
  • Цена: 56,51 грн.