2Т911А транзистор NPN n-p-n генераторные 1,8 ГГц (КТ-18) (військове приймання по якості)

2Т911А транзистор NPN n-p-n генераторные 1,8 ГГц  (КТ-18)

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

2Т911А
Транзисторы 2Т911А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 400 МГц при напряжении питания 28 В. 
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. 
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Технические условия: И93.365.020 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т911А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1000 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (55В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,8 Вт на частоте 1,8 ГГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 25 нс

Технические характеристики транзисторов 2Т911А, 2Т911Б:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания. 
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.