влевовправо
Силовий модуль тиристорно-тиристорний 130A / 1600V NTT122N160 (Naina Semiconductor Limited)
- Нет в наличии
- Код: NTT122N160
1 055,50 ₴
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Силовий модуль тиристорно-тиристорний 130A / 1600V NTT122N160 (Naina Semiconductor Limited)Нет в наличии
1 055,50 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Модулі тиристорні містять два послідовно включених тиристора
| Обозначение производителя: | NTT122N160 |
|
Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С - IA(AV) =130А. Предельное значение прямого тока RMS - IT(RMS)=204А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=3600А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1600В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1700В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,21 °С/W. Вес 0,22кг |
| Основные | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Способ монтажа | Резьбовой |
| Максимальный обратный ток | 130 А |
| Материал корпуса | Металл |
| Охлаждение | Естественное |
| Страна производитель | Индия |
| Динамическое сопротивление | 0.21 Ом |
| Минимальная рабочая температура | -40 град. |
| Максимальная рабочая температура | 125 град. |
| Вес | 220 г |
| Пользовательские характеристики | |
| Производитель | Naina Semiconductor Limited |
| Тип тиристора | Силовий тиристорний модуль |
| Максимальное импульсное напряжение в закрытом состоянии | 1600 |
| Техническая информация: | скачать PDF файл |
| VDRM repetitive peak off-state voltage: | 1600в |
| RMS on-state current | 130А |
| Напряжение включения | 1700 |
- Цена: 1 055,50 ₴
