влевовправо
IRFP90N20D транзистор MOSFET N-CH 200V; 94A; 580W; 0.023 Ohm; TO-247
- В наличии
- Код: IRFP90N20D sokh
251,30 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IRFP90N20D транзистор MOSFET N-CH 200V; 94A; 580W; 0.023 Ohm; TO-247В наличии
251,30 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
IRFP90N20D транзистор MOSFET N-CH 200V; 94A; 580W; 0.023 Ohm; TO-247
Технические данныеTO247(N; 200V; 94A; 580W; 0.023 Ohm)
Product Category:MOSFET
RoHS: Details
Technology:Si
Mounting Style:Through Hole
Package/Case:TO-247-3
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Id - Continuous Drain Current:94 A
Rds On - Drain-Source Resistance:23 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:30 V
Qg - Gate Charge:180 nC
Minimum Operating Temperature:- 55 C
Maximum Operating Temperature:+ 175 C
Configuration:Single
Pd - Power Dissipation:580 W
Channel Mode:Enhancement
Packaging:Tube
Height:20.7 mm
Length:15.87 mm
Transistor Type:1 N-Channel
Width:5.31 mm
Forward Transconductance - Min:39 S
Fall Time:79 ns
Product Type:MOSFET
Rise Time:160 ns
Subcategory:MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:43 ns
Typical Turn-On Delay Time:23 ns
Unit Weight:38 g
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Материал корпуса | Пластик |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 180 Вт |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 33 А |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 200V 33A |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
- Цена: 251,30 ₴
