влевовправо
STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
- Готово к отправке
- Код: STGB10NB37LZT4 kh rep
81,90 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBTГотово к отправке
81,90 ₴
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RoHS: Технология: Si
Упаковка / блок:D2PAK-3
Вид монтажа:SMD/SMT
Конфигурация:Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:440 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:16 V
Минимальная рабочая температура:- 65 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Серия:STGB10NB37LZ
Упаковка:Cut Tape
Упаковка:Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:20 A
Высота:4.6 mm
Длина:10.4 mm
Ширина:9.35 mm
Торговая марка:STMicroelectronics
Квалификация:AEC-Q100
Вес изделия: 2,240 g
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Полевой |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Страна производитель | Китай |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 600V 10A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Цена: 81,90 ₴
