Корзина
1509 отзывов
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз компанія не може швидко обробляти замовлення і повідомлення в чаті, оскільки за її графіком вихідний день

Електронні радіокомпоненти. LED освітлення для оселі, офісу та автомобіля
+380679794103
+380679794103
+380996484568
Корзина
влево
  • П215 транзистор германієвий  PNP (5А 70В) (h21Э >20) 30W, фото 2
вправо
П215 транзистор германієвий  PNP (5А 70В) (h21Э >20) 30W

П215 транзистор германієвий PNP (5А 70В) (h21Э >20) 30W

  • В наличии
  • Оптом и в розницу
  • Код: П215

18,49 грн.

Минимальная сумма заказа на сайте — 30 грн.

Показать оптовые цены
Купить
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
  • +380996484568
    Vodafone (Viber)
  • +380443606707
    Intertelecom (CDMA)
  • +380937037979
    Life:) (Viber)
  • График работы
  • Контакти
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
П215 транзистор германієвий  PNP (5А 70В) (h21Э >20) 30W
П215 транзистор германієвий PNP (5А 70В) (h21Э >20) 30WВ наличии
18,49 грн.
Купить
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
  • +380996484568
    Vodafone (Viber)
  • +380443606707
    Intertelecom (CDMA)
  • +380937037979
    Life:) (Viber)
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

П215
Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. 
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. 
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Технические условия: СИ3.365.012ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П215:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

Технические характеристики транзисторов П215:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК. Т. max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
А А В В В Вт   В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
П215 p-n-p 5 - 70 80 15 10 20...150 0,9 0,3 0,3 0,15 - - - 85 -60…+70


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Основные
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистора  P-N-P
ИсполнениеДискретное
Материал корпусаМеталлостекло
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер60.0 (В)
Тип монтажаРучной монтаж
  • Цена: 18,49 грн.