2Т306Г транзистор кремнієві епітаксійних-планарні структури NPN (50мА 10В) (h21е = 40-200) (КТЮ-3-1)
- В наличии
- Код: 2Т306Г
50,50 ₴
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
2Т306Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д) и переключающих устройствах (2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б).
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,65 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Технические условия: СБ0.336.015 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т306Г:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
Технические характеристики транзисторов 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
|||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21э | UКЭ нас. |
IКБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 2Т306А | n-p-n | 30 | 50 | 10 | 15 | 4 | 150 | 20...60 | 0,3 | 0,5 | 300 | 8 | 5 | 4,5 | 150 | -60…+125 |
| 2Т306Б | n-p-n | 30 | 50 | 10 | 15 | 4 | 150 | 40…120 | 0,3 | 0,5 | 500 | 8 | 5 | 4,5 | 150 | -60…+125 |
| 2Т306В | n-p-n | 30 | 50 | 10 | 15 | 4 | 150 | 20…100 | 0,3 | 0,5 | 300 | 8 | 5 | 4,5 | 150 | -60…+125 |
| 2Т306Г | n-p-n | 30 | 50 | 10 | 15 | 4 | 150 | 40…200 | 0,3 | 0,5 | 500 | 8 | 5 | 4,5 | 150 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 10 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Страна происхождения | СССР |
- Цена: 50,50 ₴
