Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
КТ920Г транзистор NPN генераторные 12,6Вт  >400 МГц  (КТ-17), фото 1

КТ920Г транзистор NPN генераторные 12,6Вт >400 МГц (КТ-17)

  • В наличии
  • Код: КТ920Г

252,50 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней по договоренности
КТ920Г транзистор NPN генераторные 12,6Вт  >400 МГц  (КТ-17)
КТ920Г транзистор NPN генераторные 12,6Вт >400 МГц (КТ-17)В наличии
252,50 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

КТ920Г транзистор NPN n-p-n генераторные 50...200 МГц  (КТ-17)

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

КТ920Г
Транзисторы КТ920Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В. 
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом. 
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Технические условия: аА0.336.059 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ920Г:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 7,5 мА (36В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 15 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс

 

Технические характеристики транзисторов КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max UПИТ max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКЭR IКБО f гp. PВЫХ КУР
А А В В В В Вт   В мА мА МГц Вт дБ °С °С
КТ920А n-p-n 0,25 1 36 - 4 12,6 5 - - <2 - >400 2 7 150 -45…+85
КТ920Б n-p-n 1 2 36 - 4 12,6 10 - - <4 - >400 5 4,5 150 -45…+85
КТ920В n-p-n 3 7 36 - 4 12,6 25 - - <7,5 - >400 20 3 150 -45…+85
КТ920Г n-p-n 3 7 36 - 4 12,6 25 - - <7,5 - >400 15 5 150 -45…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Основные
Тип транзистораБиполярный
Материал корпусаМеталлостекло
Тип монтажаРучной монтаж
Тип биполярного транзистораN-P-N
Пользовательские характеристики
Страна происхожденияСССР
ИсполнениеДискретное
  • Цена: 252,50 ₴