КТ925А транзистор NPN генераторные 320 МГц (КТ-17)
- Под заказ
- Код: КТ925А
Отправка с 21 апреля 2026275,50 ₴
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
КТ925А
Транзисторы КТ925А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Технические условия: аА0.336.074ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ925А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 7 мА (36В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 8;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6,3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 2 Вт на частоте 320 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс
Технические характеристики транзисторов КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | UПИТ max | РК. СР. max | h21Э | UКЭ нас. |
IКЭR | IЭБО | f гp. | PВЫХ | КУР | ||||
| А | А | В | В | В | В | Вт | В | мА | мА | ГГц | Вт | дБ | °С | °С | |||
| КТ925А | n-p-n | 0,5 | 1 | 36 | 36 | 4 | 12,6 | 5,5 | >8 | - | <7 | <4 | >0,5 | >2 | >6,3 | 150 | -45…+85 |
| КТ925Б | n-p-n | 1 | 3 | 36 | 36 | 4 | 12,6 | 11 | - | - | <12 | <8 | >0,5 | >5 | >5 | 150 | -45…+85 |
| КТ925В | n-p-n | 3,3 | 8,5 | 36 | 36 | 3,5 | 12,6 | 25 | >17 | - | <30 | <10 | >0,45 | >20 | >3 | 150 | -45…+85 |
| КТ925Г | n-p-n | 3,3 | 8,5 | 36 | 36 | 3,5 | 12,6 | 25 | - | - | <30 | <10 | >0,45 | >7 | >2,5 | 150 | -45…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Страна происхождения | СССР |
- Цена: 275,50 ₴
