ГТ703Г германієві сплавні структури p-n-p підсилювальні (3,5А 30В) (h21Е 50..100) 15W
- В наличии
- Код: ГТ703Г
64,20 ₴
Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д предназначены для применения в усилителях мощности низкой частоты.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Технические условия: ЮФ3.365.019 ТУ.
Технические характеристики транзисторов ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | кГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| ГТ703А | p-n-p | 3,5 | - | 20 | - | - | 1,6 (15) | 30…70 | <0,6 | <0,5 | <0,5 | - | >10 | - | - | 85 | -40…+55 |
| ГТ703Б | p-n-p | 3,5 | - | 20 | - | - | 1,6 (15) | 50…100 | <0,6 | <0,5 | <0,5 | - | >10 | - | - | 85 | -40…+55 |
| ГТ703В | p-n-p | 3,5 | - | 30 | - | - | 1,6 (15) | 30…70 | <0,6 | <0,5 | <0,5 | - | >10 | - | - | 85 | -40…+55 |
| ГТ703Г | p-n-p | 3,5 | - | 30 | - | - | 1,6 (15) | 50…100 | <0,6 | <0,5 | <0,5 | - | >10 | - | - | 85 | -40…+55 |
| ГТ703Д | p-n-p | 3,5 | - | 40 | - | - | 1,6 (15) | 20…45 | <0,6 | <0,5 | <0,5 | - | >10 | - | - | 85 | -40…+55 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
|
|
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 55 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 12 А |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Пользовательские характеристики | |
| Страна происхождения | СССР |
| Страна производитель | срср |
| Исполнение | Дискретное |
- Цена: 64,20 ₴
