
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
|
КТ201Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные с ненормированным КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г и нормированным КТ201Д коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип транзистора в металлическом корпусе указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: СБ0.336.040 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ201Г:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 70...210;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ

Технические характеристики транзисторов КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д:
Тип
транзистора |
Структура |
Предельные значения параметров при Тп=25°С |
Значения параметров при Тп=25°С |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max |
h21Э |
UКЭ
нас. |
IКБО |
IЭБО |
f гp. |
КШ |
СК |
СЭ |
| мА |
мА |
В |
В |
В |
мВт |
|
В |
мкА |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
| КТ201А |
n-p-n |
20 |
100 |
20 |
20 |
20 |
150 |
20…60 |
- |
0,5 |
3 |
>10 |
- |
20 |
- |
150 |
-60…+125 |
| КТ201Б |
n-p-n |
20 |
100 |
20 |
20 |
20 |
150 |
30…90 |
- |
0,5 |
3 |
>10 |
- |
20 |
- |
150 |
-60…+125 |
| КТ201В |
n-p-n |
20 |
100 |
10 |
10 |
10 |
150 |
30…90 |
- |
0,5 |
3 |
>10 |
- |
20 |
- |
150 |
-60…+125 |
| КТ201Г |
n-p-n |
20 |
100 |
10 |
10 |
10 |
150 |
70…210 |
- |
0,5 |
3 |
>10 |
- |
20 |
- |
150 |
-60…+125 |
| КТ201Д |
n-p-n |
20 |
100 |
10 |
10 |
10 |
150 |
30…90 |
- |
0,5 |
3 |
>10 |
15 |
20 |
- |
150 |
-60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
|