влевовправо
К159НТ1А (AU) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
- Немає в наявності
- Код: К159НТ1А
82 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 грн
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
К159НТ1А (AU) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)Немає в наявності
82 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
К159НТ1А
матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр.
Корпус ИМС К159НТ1А-Е
Электрическая схема
1,8 ― свободные; 2 ― коллектор транзистора VT1;
3 ― база транзистора VT1;
4 ― эмиттер транзистора VT1;
5 ― эмиттер транзистора VT2;
6 ― база транзистора VT2;
7 ― коллектор транзистора VT2;
Электрические параметры
| 1 | Разность напряжений эмиттер-база транзисторов 159НТ1А-В 159НТ1Г-Е |
не более 3 мВ не более 15 мВ |
| 2 | Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА | 0,55...0,75 В |
| 3 | Обратный ток коллектор-база | не более 200 нА |
| 4 | Обратный ток эмиттер-база | не более 500 нА |
| 5 | Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В | не более 20 нА |
| 6 | Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА 159НТ1А,Г 159НТ1Б,Д 159НТ1В,Е |
20...80 60...180 более 80 |
| 7 | Емкость эмиттера на частоте 10 мГц | не более 5 пФ |
| 8 | Емкость коллектора на частоте 10 мГц | не более 4 пФ |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение коллектор-база | 20 В |
| 2 | Напряжение эмиттер-база | 4 В |
| 3 | Напряжение между транзисторами | 20 В |
| 4 | Ток коллектора постоянный | 10 мА |
| 5 | Ток коллектора импульсный tи=30 мкс | 40 мА |
| 6 | Рассеиваемая мощность | 50 мВт |
Зарубежные аналоги
2N4042-2N4045
| Основні | |
|---|---|
| Тип мікросхеми | Операційний підсилювач |
| Тип операційного підсилювача | Диференціальний |
| Тип корпусу | DIP |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Користувальницькі характеристики | |
| Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 82 ₴
