Тип: Оптопара
4N35 Транзисторные выходные оптопары (Phototransistor Out)
Корпус: DIP-6
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
|
|
| Категория продукта: |
Транзисторные выходные оптопары |
|
|
| RoHS: |
 Подробности |
|
|
| Торговая марка: |
Vishay Semiconductors |
|
|
|
|
|
|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: |
30 V |
|
|
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер: |
0.3 V |
|
|
| Напряжение изоляции: |
5000 Vrms |
|
|
| Коэффициент передачи по току: |
50 % |
|
|
| Максимальное прямое напряжение диода: |
1.5 V |
|
|
| Максимальный входной ток диода: |
60 mA |
|
|
| Максимальный коллекторный ток: |
100 mA |
|
|
| Максимальное рассеяние мощности: |
70 mW |
|
|
| Максимальная рабочая температура: |
+ 100 C |
|
|
| Минимальная рабочая температура: |
- 55 C |
|
|
|
|
|
|
| Ток в прямом направлении: |
60 mA |
|
|
| Максимальное обратное напряжение диода: |
6 V |
|
|
| Количество каналов на чип: |
1 Channel |
|
|
| Устройство вывода: |
NPN Phototransistor |
|
|
|
|
| Размер фабричной упаковки: |
3000 |
|
|
