КТ339Ам транзистор NPN 300МГц (25мА 40В) (h21э: 25) 0,26W (ТО92)

КТ339АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.
Транзисторы КТ339А выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами - КТ-1-12.
Транзисторы КТ339АМ выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами - КТ-26.
Тип приборов указывается на корпусе и в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,4 г, в пластмассовом корпусе не более 0,3 г.
Технические характеристики транзисторов КТ339А, КТ339АМ:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
|||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. И. max) |
h21э |
UКЭ нас. |
IКБО | f гp. (f h21) |
КШ | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ339А | n-p-n | 25 | - | 25 | 40 | 4 | 260 | 25 | - | 1 | 300 | - | 2 | - | 175 | -60…+125 |
| КТ339АМ | n-p-n | 25 | - | 25 | 40 | 4 | 260 | 25 | - | 1 | 300 | - | 2 | - | 175 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Корпус:


| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.2 А |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Производитель | Ама |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Страна происхождения | СССР |
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 4,40 ₴




