2П302В транзистор кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа КТ-2-12

2П302В транзистор кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа  КТ-2-12

2П302В
Транзисторы 2П302В кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах  и других схемах аппаратуры специального назначения. 
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса для 2П302А, 2П302Б, 2П302В: КТ-2-12.
Тип корпуса для 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1: КТ-2-7.
Технические условия: АЕЯР.432140.535 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П302В:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 3... 10 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 12 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 33 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ;
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 100 Ом;
• tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс

Характеристики полевых транзисторов с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа
2П302А, 2П302Б, 2П302В, 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1:

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.