
КТ827Б транзистор кремнієвий NPN (30А 80В) 125W (ТО-3)
- В наличии
- Код: КТ827Б
155,20 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
КТ827Б транзистор кремниевый NPN (30А 80В) 125W (ТО-3)

КТ827Б
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.
Транзисторы КТ827А, КТ827Б, КТ827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 .
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.336.356 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ827Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом
| Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h21э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Uкэн, В |
| КТ827А | n-p-n | 100 | 100 | 20000 (40000) | (125) | 500-18000 | 3000 |
4 |
<2 |
| КТ827Б | 80 | 80 | 20000 (40000) | (125) | 750-18000 | 3000 |
4 |
<2 | |
| КТ827В | 60 | 60 | 20000 (40000) | (125) | 750-18000 | 3000 |
4 |
<2 |
Корпус: ТО-3

| Uкбо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
| Uкбои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
| Uкэо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
| Uкэои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
| Iкmax | - Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
| Iкmax и | - Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
| Pкmax | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода |
| Pкmax т | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом |
| h21э | - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
| Iкбо | - Обратный ток коллектора |
| fгр | - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
| Uкэн | - напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 80 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 30 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Производитель | ЗАО Кремний Маркетинг г. Брянск |
| Исполнение | Дискретное |
| NPN | POWER TRANSISTOR |
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 155,20 ₴




3000
4
3000
4
3000
4