Корзина
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Корзина
влево
  • КТ827Б транзистор кремнієвий NPN (30А 80В) 125W (ТО-3), фото 2
  • КТ827Б транзистор кремнієвий NPN (30А 80В) 125W (ТО-3), фото 3
  • КТ827Б транзистор кремнієвий NPN (30А 80В) 125W (ТО-3), фото 4
вправо
КТ827Б транзистор кремнієвий NPN (30А 80В) 125W (ТО-3), фото 1

КТ827Б транзистор кремнієвий NPN (30А 80В) 125W (ТО-3)

  • В наличии
  • Код: КТ827Б

155,20 ₴

+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
КТ827Б транзистор кремнієвий NPN (30А 80В) 125W (ТО-3)
КТ827Б транзистор кремнієвий NPN (30А 80В) 125W (ТО-3)В наличии
155,20 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Описание
Характеристики
Информация для заказа

КТ827Б транзистор кремниевый NPN (30А 80В) 125W (ТО-3)

КТ827Б
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. 
Транзисторы КТ827А, КТ827Б, КТ827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе. 
Масса транзистора не более 20 .
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.336.356 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ827Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ827А n-p-n 100 100 20000 (40000) (125) 500-18000 <=3000 =>4 <2
КТ827Б 80 80 20000 (40000) (125) 750-18000 <=3000 =>4 <2
КТ827В 60 60 20000 (40000) (125) 750-18000 <=3000 =>4 <2

 

Корпус: ТО-3
КТ827 package view

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 


 

Основные
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистораN-P-N
Материал корпусаМеталлостекло
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер80 В
Максимально допустимый ток коллектора30 А
Максимальная мощность рассеивания125 Вт
Тип монтажаРучной монтаж
Пользовательские характеристики
ПроизводительЗАО Кремний Маркетинг г. Брянск
ИсполнениеДискретное
NPNPOWER TRANSISTOR
Техническое описаниескачать PDF в спецификации
  • Цена: 155,20 ₴