IRFB3206pbf транзистор MOSFET N-CH 60V 210A TO-220 300W

138,50 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

IRFB3206pbf транзистор MOSFET N-CH 60V 210A TO-220 300WВ наявності

138,50 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

Опис

Характеристики

Інформація для замовлення

IRFB3206 транзистор MOSFET N-CH 60V 210A TO-220 300W

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

Категорія продукту:	МОП-транзистор
Виробник:	Infineon
Технологія:	Si
Вид монтажа:	Through Hole
Паковання/блок:	TO-220-3
Кількість каналів:	1 Channel
Полярність транзизора:	N-Channel
Vds — напруга пробою стік-висток:	60 V
Id — безперервний струм витоку:	210 A
Rds Вмик — опір стік-висток:	3 mOhms
Vgs — напруга затвор-висток:	20 V
Максимальна робоча температура:	+ 175 C
Канальний режим:	Enhancement
Торгова марка:	Infineon / IR
Конфігурація:	Single
Час спаду:	83 ns
Висота:	9.02 mm
Довжина::	10.67 mm
Мінімальна робоча температура:	- 55 C
Pd — розсіювання потужності:	300 W
Час наростання:	82 ns
Тип транзизора:	1 N-Channel
Типовий час затримки вимкнення:	55 ns
Типовий час затримки під час увімкнення:	19 ns
Ширина:	4.83 mm
Вага виробу:	6 g

Основні
Тип монтажу	Ручний монтаж
Максимально допустимий струм стоку	110 А
Виробник	International Rectifier
Максимально допустима напруга стік-витік	55 В
Максимальна потужність розсіювання	200 Вт
Країна виробник	Китай
Тип транзистора	Польовий
Матеріал корпусу	Пластик
Користувальницькі характеристики
Data sheet:	завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH	55V 110A
Корпус транзистора:	ТО220