влевовправо
КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72)
- В наличии
- Код: КП303И-NI
10,70 грн.
Минимальная сумма заказа на сайте — 30 грн.
Купить
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
- +380996484568Vodafone (Viber)
- +380443606707Intertelecom (CDMA)
- +380937037979Life:) (Viber)
- Умови доставки та полати
- График работы
- Контакти
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72)В наличии
10,70 грн.
Описание
Характеристики
Информация для заказа
КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72)
|
КП303И
Транзисторы КП303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-12. Технические условия: Ц20.336.601 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КП303И: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 2 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 1,5...5 мА; • S - Крутизна характеристики: 2... 6 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ  Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом p-типа
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Тип полевого транзистора |
Р МАКС | f МАКС | Предельные значения параметров при Т=25°С | Значения параметров при Т=25°С | Т ОКР | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UСИ МАКС | UЗС МАКС | UЗИ МАКС | IС МАКС | UЗИ ОТС | g22И | IЗ УТ | S | IС НАЧ | C11И | C12И | КШ | ||||
| мВт | МГц | В | В | В | мА | В | мкСм | нА | мА/В | мА | пФ | пФ | дБ | °С | |
| КП303А | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,5…3 | - | <1 | 1…4 | 0,5…2 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303Б | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,5…3 | - | <1 | 1…4 | 0,5…2 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303В | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 1…4 | - | <1 | 2…5 | 1,5…5 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303Г | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | <8 | - | <0,1 | 3…7 | 3…12 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303Д | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | <8 | - | <1 | >2,6 | 3…9 | <6 | <2 | <4 | -40…+85 |
| КП303Е | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | <8 | - | <1 | >4 | 5…20 | <6 | <2 | <4 | -40…+85 |
| КП303Ж | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,3…3 | - | <5 | 1…4 | 0,3…3 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303И | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,5…2 | - | <5 | 2…6 | 1,5…5 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Полевой |
| Исполнение | Дискретное |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30.0 (В) |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.2 (Вт) |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Дополнительные характеристики | |
| Страна происхождения | СССР |
- Цена: 10,70 грн.
