Корзина
1515 отзывов
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати
Електронні радіокомпоненти. LED освітлення для оселі, офісу та автомобіля
+380679794103
+380679794103
+380996484568
Корзина
влево
  • КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72), фото 2
  • КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72), фото 3
вправо
КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72)

КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72)

  • В наличии
  • Код: КП303И-NI

10,70 грн.

Минимальная сумма заказа на сайте — 30 грн.

Купить
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
  • +380996484568
    Vodafone (Viber)
  • +380443606707
    Intertelecom (CDMA)
  • +380937037979
    Life:) (Viber)
  • График работы
  • Контакти
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72)
КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72)В наличии
10,70 грн.
Купить
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
  • +380996484568
    Vodafone (Viber)
  • +380443606707
    Intertelecom (CDMA)
  • +380937037979
    Life:) (Viber)
Описание
Характеристики
Информация для заказа

КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72)

  

 

КП303И
Транзисторы КП303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением. 
Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. 
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: Ц20.336.601 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КП303И:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 2 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 1,5...5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 2... 6 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ
 

Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом p-типа
КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е  КП303Ж, КП303И:

Тип
полевого транзистора
Р МАКС МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР
UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС g22И IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ
мВт МГц В В В мА В мкСм нА мА/В мА пФ пФ дБ °С
КП303А 200 - 25 30 30 20 0,5…3 - <1 1…4 0,5…2 <6 <2 - -40…+85
КП303Б 200 - 25 30 30 20 0,5…3 - <1 1…4 0,5…2 <6 <2 - -40…+85
КП303В 200 - 25 30 30 20 1…4 - <1 2…5 1,5…5 <6 <2 - -40…+85
КП303Г 200 - 25 30 30 20 <8 - <0,1 3…7 3…12 <6 <2 - -40…+85
КП303Д 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >2,6 3…9 <6 <2 <4 -40…+85
КП303Е 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >4 5…20 <6 <2 <4 -40…+85
КП303Ж 200 - 25 30 30 20 0,3…3 - <5 1…4 0,3…3 <6 <2 - -40…+85
КП303И 200 - 25 30 30 20 0,5…2 - <5 2…6 1,5…5 <6 <2 - -40…+85

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.
Основные
Тип транзистораПолевой
ИсполнениеДискретное
Материал корпусаМеталлостекло
Максимально допустимое напряжение затвор-исток30.0 (В)
Максимальная мощность рассеивания0.2 (Вт)
Тип монтажаРучной монтаж
Дополнительные характеристики
Страна происхожденияСССР
  • Цена: 10,70 грн.