влевовправо
КП306А (UЗ1И отс =0,8…4) транзистор полевые с двумя изолир. затворами, каналом n-типа (150 mW 20В) Au
- В наявності
- Код: КП306А
76,50 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
КП306А (UЗ1И отс =0,8…4) транзистор полевые с двумя изолир. затворами, каналом n-типа (150 mW 20В) Au В наявності
76,50 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
КП306А N-FET (150 mW 20В) Au транзистор кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
КП306А
Транзисторы КП306А, КП306Б, КП306В кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: ТФ0.336.002 ТУ.
Транзисторы КП306А, КП306Б, КП306В кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: ТФ0.336.002 ТУ.
Характеристики полевых транзисторов с двумя изолированными затворами и каналом n-типа
КП306А, КП306Б, КП306В:
| Тип полевого транзистора |
Р макс | Предельные значения параметров при Т=25°С | Значения параметров при Т=25°С | Токр | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UСИ макс |
UЗ1С макс |
UЗ2С макс |
UЗ1И макс |
UЗ2И макс |
UЗ1 З2 макс |
IС макс | UЗ1И отс | IЗ1 ут | S1 | IС нач | C11И1 | C12И1 | Кш | Кур | |||
| мВт | В | В | В | В | В | мА | мА | В | нА | мА/В | мА | пФ | пФ | дБ | дБ | °С | |
| КП306А | 150 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 25 | 20 | 0,8…4 | <5 | 4…8 | - | <5 | <0,7 | <6 | - | -60…+125 |
| КП306Б | 150 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 25 | 20 | 0,2…4 | <5 | 4…8 | - | <5 | <0,7 | <6 | - | -60…+125 |
| КП306В | 150 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 25 | 20 | 1,3…6 | <5 | 4…8 | - | <5 | <0,7 | <6 | - | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗ1С МАКС - максимально допустимое напряжение первый затвор-сток.
• UЗ2С МАКС - максимально допустимое напряжение второй затвор-сток.
• UЗ1И МАКС - максимально допустимое напряжение первый затвор-исток.
• UЗ2И МАКС - максимально допустимое напряжение второй затвор-исток.
• UЗ1 З2 МАКС - максимально допустимое напряжение между затворами.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗ1И ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• IЗ1 УТ - ток утечки первого затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S1 - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И1 - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И2 - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума полевого транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности полевого транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.2 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Користувальницькі характеристики | |
| Виконання | Дискретне |
| Країна походження | СРСР |
- Ціна: 76,50 ₴
