Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
влево
  • 2Т610Б транзистор NPN кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n підсилювальні >700 МГц (КТ-16-2, фото 2
  • 2Т610Б транзистор NPN кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n підсилювальні >700 МГц (КТ-16-2, фото 3
  • 2Т610Б транзистор NPN кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n підсилювальні >700 МГц (КТ-16-2, фото 4
вправо
2Т610Б транзистор NPN кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n підсилювальні >700 МГц (КТ-16-2, фото 1

2Т610Б транзистор NPN кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n підсилювальні >700 МГц (КТ-16-2

  • Под заказ
  • Код: 2Т610Б
clockОтправка с 30 апреля 2026

229,50 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней по договоренности
2Т610Б транзистор NPN кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n підсилювальні >700 МГц (КТ-16-2
2Т610Б транзистор NPN кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n підсилювальні >700 МГц (КТ-16-2Под заказ
229,50 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

2Т610Б транзистор NPN  кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные  >700 МГц  (КТ-16-2)

 

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

2Т610Б
Транзисторы 2Т610Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. 
Предназначены для применения в усилителях напряжения и мощности. 
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. 
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Технические условия: Я53.365.009 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т610Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 700 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 26 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (26В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20...250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,1 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 200 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 55 пс

Технические характеристики транзисторов 2Т610А, 2Т610Б:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК. Т. max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С
2Т610А n-p-n 0,3 - 26 26 4 1,5 50…250 - <0,5 <0,1 - >1000 <4,1 <21 150 -60…+125
2Т610Б n-p-n 0,3 - 26 26 4 1,5 20…250 - <0,5 <0,1 - >700 <4,1 <21 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Основные
Тип транзистораБиполярный
Материал корпусаМеталлостекло
Тип монтажаРучной монтаж
Тип биполярного транзистораN-P-N
Пользовательские характеристики
Страна происхожденияСССР
ИсполнениеДискретное
  • Цена: 229,50 ₴