1Т906А транзистор германієвий PNP (5А 75В) 6W ( 5-те приймання "воєнка")

1Т906А транзистор германиевый  PNP (5А 75В) 6W

Корпус:

1Т906А
Транзисторы 1Т906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г, с крепежным фланцем не более 6,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия: СА3.365.014ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.

Основные технические характеристики транзистора 1Т906А:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс

Технические характеристики транзисторов 1Т906А:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.