Name: КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5)
SKU: КТ632Б
Price: 83.30 UAH
Availability: PreOrder

КТ632Б
Транзисторы КТ632Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях.
Транзистор 2Т632А, КТ632Б выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г,
Тип корпуса: KT-2.
Технические условия: аА0.336.432 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ632Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (120В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 25 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс

no image

Технические характеристики транзисторов 2Т632А, КТ632Б:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	Вт		В	мкА	мкА	мкА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
2Т632А	p-n-p	0,1	0,35	120	120	5	0,5	50…450	<0,5	<1	<100	<10	>200	<8	<50	150	-60…+125
КТ632Б	p-n-p	0,1	0,35	120	120	5	0,5	50…450	<0,8	<1	<100	<10	>200	<8	<50	150	-40…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Тип монтажа

Ручной монтаж

Тип биполярного транзистора

P-N-P

Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер

75 В

Максимально допустимый ток коллектора

0.6 А

Страна производитель

Чехия

Тип транзистора

Биполярный

Материал корпуса

Металлостекло

Исполнение

Дискретное

День	Время работы	Перерыв
Понедельник	Выходной
Вторник	10:00 - 16:00
Среда	10:00 - 16:00
Четверг	10:00 - 16:00
Пятница	Выходной
Суббота	10:00 - 16:00
Воскресенье	Выходной

КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5)

Условия возврата и обмена

Сроки возврата

КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5)

Технические характеристики транзисторов 2Т632А, КТ632Б: