Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
влево
  • 2Т372А кремнієвий транзистор NPN (2,4ГГц 15В) (КТЮ-23-2) (військове приймання за якістю), фото 2
вправо
2Т372А кремнієвий транзистор NPN (2,4ГГц 15В) (КТЮ-23-2) (військове приймання за якістю), фото 1

2Т372А кремнієвий транзистор NPN (2,4ГГц 15В) (КТЮ-23-2) (військове приймання за якістю)

  • В наличии 1 ед.
  • Код: 2Т372А

91,80 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней по договоренности
2Т372А кремнієвий транзистор NPN (2,4ГГц 15В) (КТЮ-23-2) (військове приймання за якістю)
2Т372А кремнієвий транзистор NPN (2,4ГГц 15В) (КТЮ-23-2) (військове приймання за якістю)В наличии 1 ед.
91,80 ₴
Описание
Характеристики
Информация для заказа

2Т372А кремниевый транзистор NPN (2,4ГГц 15В) (КТЮ-23-2)

 

2Т372А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. 
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. 
Тип прибора указывается на ярлыке, являющемся составной частью упаковки. 
На корпусе между базовым и эмиттерным выводами наносится условная маркировка цветными точками: 
   - 2Т372А - одна зеленая; 
   - 2Т372Б - одна черная;
   - 2Т372В - одна белая; 
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-23-2.
Технические условия: ЖК3.365.246 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т372А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2400 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10,,,90;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3,5 дБ на частоте 1 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 9 пс
 

Технические характеристики транзисторов 2Т372А, 2Т372Б, 2Т372В:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
мА мА В В В мВт   В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
2Т372А n-p-n 10 - 15 15 3 50 10…90 - 0,5 20 >2400 3,5 1 1,5 155 -60…+125
2Т372Б n-p-n 10 - 15 15 3 50 10…90 - 0,5 20 >3000 5,5 1 1,5 155 -60…+125
2Т372В n-p-n 10 - 15 15 3 50 10…90 - 0,5 20 >2400 3,5 1 1,5 155 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Основные
Тип монтажаРучной монтаж
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистораN-P-N
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер15 В
Материал корпусаМеталлокерамика
  • Цена: 91,80 ₴