влевовправо
КТ866А транзистор NPN (20А 200В) 25мГц 30W Ni
- В наличии
- Код: КТ866А ni
752,30 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
КТ866А транзистор NPN (20А 200В) 25мГц 30W NiВ наличии
752,30 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
КТ866А транзистор NPN (20А 200В) 25мГц 30W
Изображения служат только для ознакомления
КТ866А
Транзисторы КТ866А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Технические условия: аА0.339.431 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т866А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 25 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 25 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,15 Ом;
• tвыкл - Время выключения:: не более 450 нс
Транзисторы КТ866А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Технические условия: аА0.339.431 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т866А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 25 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 25 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,15 Ом;
• tвыкл - Время выключения:: не более 450 нс
Технические характеристики транзисторов 2Т866А, КТ866А:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК. Т. max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 2Т866А | n-p-n | 20 | 20 | 160 | 200 | 4 | 30 | 15…100 | <1,5 | <25 | <10 | - | 25 | <400 | - | 200 | -60…+125 |
| КТ866А | n-p-n | 20 | 20 | 160 | 200 | 4 | 30 | 15…100 | <1,5 | <25 | <10 | - | 25 | <400 | - | 200 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 200 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 20 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Производитель | PULSAR |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
- Цена: 752,30 ₴
