КТ8102А транзистор PNP (16А 200В) 150W
- Готово к отправке
- Код: КТ8102А
84,50 ₴
КТ8102А транзистор PNP (16А 200В) 150W
| Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h21э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Uкэн, В |
| КТ8102А | p-n-p | 200 | 160 | 16000 | (150) |  20 |
 2000 |
 10 |
<2 |
| КТ8102Б | 160 | 120 | 16000 | (150) |  20 |
 2000 |
 10 |
<2 |
Корпус:
| Uкбо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
| Uкбои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
| Uкэо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
| Uкэои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
| Iкmax | - Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
| Iкmax и | - Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
| Pкmax | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода |
| Pкmax т | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом |
| h21э | - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
| Iкбо | - Обратный ток коллектора |
| fгр | - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
| Uкэн | - напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
КТ8102А
Транзисторы КТ8102А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ8102А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
• Рк т max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 150 Вт;
• fгр ― Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц;
• Uкбо max ― Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max ― Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max ― Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А;
• Iк и max ― Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкбо ― Обратный ток коллектора ― ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (200В);
• h21э ― Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск ― Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;
• Rкэ нас ― Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-база | 350 В |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 200 В |
| Пользовательские характеристики | |
| Производитель | ЗАО Кремний Маркетинг г. Брянск |
| Исполнение | Дискретное |
| PNP | POWER TRANSISTOR |
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 84,50 ₴
