Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
влево
  • 2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості), фото 2
  • 2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості), фото 3
вправо
2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості), фото 1

2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості)

  • Готово к отправке
  • Код: 2Т812Б

124 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней по договоренности
2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості)
2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості)Готово к отправке
124 ₴
Описание
Характеристики
Информация для заказа

 

2Т812Б транзистор NPN (10А 300В) 50W

Наименование

  КТ812Б ТО-3 Транзистор
Функциональный тип биполярный
Типоразмер корпуса отечественный КТ-9
Структура n-p-n
Дата выпуска  
Торговая марка АО ЭЛЕКТРОНПРИБОР, Фрязино
Страна происхождения  СССР
ТУ аАО.336.052 ТУ
ГОСТ 11630-70
Вид приемки "1"
Материал корпуса металл со стеклянными изоляторами
Тип вывода жесткий
Рабочее положение любое
Фактическая маркировка 2Т812Б
Состояние упаковки самоупаковка
Кратность отгрузки 1
Габаритные размеры L*W*H 39х26х23
Высота корпуса 10 mm
Длина выводов 13 mm
Масса изделия, гр. 13,5
Содержание золота в 1шт, gr 0,02430
Транслитерация 2T812B
Интервал рабочих температур от -45 до +85°C
Макс. допустимое напряжение коллектор-эмиттер 500 V
Макс. допустимое напряжение эммитер-база 6 V
Макс. допустимый постоянный ток коллектора 8 A
Максимальная мощность рассеивания 50 W
Максимальный обратный ток, Iобр 10 mA
Транзистор КТ812Б биполярный, кремниевый, мезапланарный, структуры n-p-n импульсный. Предназначен для применения в переключающих и импульсных устройствах.

 

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ812Б n-p-n 500 500 8000 (12000) (50) =>4 <=5000 =>3 <2.5
КТ812В 300 300 8000 (12000) (50) =>10 <=5000 =>3 <2.5
2Т812А 700 700 10000 (17000) (50) =>5 <=5000 =>3 <2.5
2Т812Б 500 500 10000 (17000) (50) =>5 <=5000 =>3 <2.5

 

Корпус:
КТ812A package view

 

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Основные
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистораN-P-N
Материал корпусаМеталлокерамика
Максимально допустимое напряжение коллектор-база400 В
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер200 В
Максимально допустимый ток коллектора12 А
Максимальная мощность рассеивания50 Вт
Тип монтажаРучной монтаж
Пользовательские характеристики
ПроизводительЗАО Кремний Маркетинг г. Брянск
ИсполнениеДискретное
NPNPOWER TRANSISTOR
Техническое описаниескачать PDF в спецификации
  • Цена: 124 ₴