STGP19NC60KD транзистор IGBT (600V, 35A, 130W) з діодом, корпус TO-220
- Готово к отправке
- Код: STGP19NC60KD
84,40 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
STGP19NC60KD транзистор IGBT (600V, 35A, 130W) з діодом, корпус TO-220
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
БІП (IGBT) транзистор STGP19NC60KD (600V, 35A, 130W) з діодом, корпус TO-220
STGP19NC60KD — це високотехнологічний та надійний БТІЗ (IGBT — Біполярний Транзистор із Ізольованим Затвором) від провідного світового виробника STMicroelectronics. Він виготовлений за передовою технологією PowerMESH™, що поєднує в собі переваги простого керування польових транзисторів (MOSFET) та низькі втрати у відкритому стані, притаманні потужним біполярним транзисторам.
Цей транзистор є надзвичайно швидким (серія Very Fast) і містить вбудований ультрашвидкий діод з м'яким відновленням (co-packaged freewheeling diode), що дозволяє захистити кристал від зворотних струмів та значно спрощує проектування схем. Класичний вивідний корпус TO-220 забезпечує зручний монтаж на плату та ефективну передачу тепла на радіоаматорський або промисловий радіатор.
Основні технічні характеристики:
-
Виробник: STMicroelectronics
-
Тип транзистора: IGBT (БТІЗ) з вбудованим захисним діодом
-
Максимальна напруга колектор-емітер (VCES): 600 В
-
Максимальний струм колектора (IC): 35 А (при температурі корпусу TC=25∘C); до 19 А при стабільних TC=100∘C.
-
Імпульсний струм колектора (ICM): 75 А
-
Максимальна розсіювана потужність (Ptot): 130 Вт
-
Напруга насичення колектор-емітер (VCE(sat)): типове значення 2.1 В (при струмі 12 А)
-
Тип корпусу: TO-220 (THT, вивідний монтаж)
-
Робоча температура: від −55∘C до +150∘C
Сфера застосування: Транзистор STGP19NC60KD ідеально підходить для високочастотних схем жорсткого та м'якого перемикання (до 50 кГц) та масово використовується для ремонту й проектування:
-
Інверторних зварювальних апаратів легкого та середнього класу.
-
Електронних баластів для ламп та систем освітлення.
-
Частотних перетворювачів та контролерів керування двигунами (електроприводи).
-
Індукційних плит та побутової техніки.
-
Джерел безперебійного живлення (UPS) та сонячних інверторів.
|
|
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STM |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 35 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 237 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Цена: 84,40 ₴
