Корзина
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 22.07)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Корзина
влево
  • IRFP4668PBF транзистор  MOSFET  (N-Channel) 200V; 130A; 520W; 0.8 Ohm) TO247  Infineon, фото 2
вправо
IRFP4668PBF транзистор  MOSFET  (N-Channel) 200V; 130A; 520W; 0.8 Ohm) TO247  Infineon, фото 1

IRFP4668PBF транзистор MOSFET (N-Channel) 200V; 130A; 520W; 0.8 Ohm) TO247 Infineon

  • Готово к отправке
  • Код: IRFP4668PBF kh or

169 ₴

+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IRFP4668PBF транзистор  MOSFET  (N-Channel) 200V; 130A; 520W; 0.8 Ohm) TO247  Infineon
IRFP4668PBF транзистор MOSFET (N-Channel) 200V; 130A; 520W; 0.8 Ohm) TO247 InfineonГотово к отправке
169 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Описание
Характеристики
Информация для заказа

IRFP4668PBF транзистор  MOSFET  (N-Channel) 200V; 130A; 520W; 0.8 Ohm) TO247  Infineon 

 

 

Потужний N-канальний MOSFET транзистор IRFP4668PBF Infineon (200V, 130A, 520W, TO-247AC)

IRFP4668PBF — це один із найпотужніших силових N-канальних польових транзисторів (MOSFET) від світового лідера Infineon Technologies (раніше International Rectifier). Він розроблений спеціально для високонавантажених промислових застосувань, де потрібна комутація надвисоких струмів при напрузі до 200 В.

Транзистор виготовлений за передовою технологією HEXFET Power MOSFET, що дозволило досягти наднизького опору у відкритому стані (RDS(on)​ — всього 8.0 мОм). Це мінімізує статичні втрати та значно знижує виділення тепла. Надійний силовий корпус TO-247AC забезпечує відмінне тепловідведення, дозволяючи транзистору розсіювати колосальну потужність до 520 Вт.

Основні технічні характеристики:

  • Виробник: Infineon Technologies (International Rectifier)

  • Тип транзистора: N-канал (N-Channel)

  • Максимальна напруга стік-витік (VDSS​): 200 В

  • Максимальний струм стоку (ID​): 130 А (при температурі корпусу TC​=25∘C); лімітований пакетом виводів до 195 А для кристалу.

  • Максимальна розсіювана потужність (Pd​): 520 Вт (вимагає обов'язкового встановлення на якісний радіатор).

  • Низький опір відкритого каналу (RDS(on)​): макс. 9.7 мОм (типове 8.0 мОм при 78А)

  • Заряд затвора (Qg​): 161 нК (типовий)

  • Тип корпусу: TO-247AC (вивідний монтаж, THT)

  • Діапазон робочих температур: від −55∘C до +175∘C

Сфера застосування: Завдяки екстремальній надійності, низькому опору та високій потужності, IRFP4668PBF масово застосовується у таких сферах:

  • Силова частина автомобільних та промислових інверторів (перетворювачів напруги 12/24/48V в 220V).

  • Джерела безперебійного живлення (UPS) високої потужності.

  • Контролери електротранспорту (електровелосипеди, навантажувачі, човнові мотори).

  • Високочастотні імпульсні блоки живлення (SMPS) та зварювальні інвертори.

  • Системні плати захисту та комутації акумуляторів (BMS).

  • Синхронні випрямлячі у важкому промисловому обладнанні.

 

Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Тип транзистораПолевой
Материал корпусаПластик
Максимальная мощность рассеивания190 Вт
Канал транзистораN-канал
Користувацькi характеристики
Data sheet:скачать PDF в спецификации
MOSFET N-CH500V 17A
Корпус транзистора:ТО247
  • Цена: 169 ₴